替换栅钨 CMP 清除场区导电材料并控制栅顶轮廓，栅长继承已有槽形，不能由抛光高度直接推导阈值（工程实践）。
本步紧接 RMG W Fill，之前已有功函数金属及 TiN 衬层。随后是 RMG Cap Deposition 和 PMD2 介质加工。去除场区多余钨与需清除的导电层，使相邻栅电极分离，同时保留槽内导体；横向边界由此前形成的栅槽继承。
表面化学改变、磨粒和抛光垫接触、相对运动与输运共同控制去除。氧化辅助是钨 CMP 的一种重要机制，但不能把某篇研究的特定添加剂或吸附方式认定为本 Flow 的唯一方案。相对材料去除速率依赖条件，不是绝对停在介质表面的开关。
局部布局和接触条件可能引起钨凹陷、介质损耗或残留导电膜。CMP 可以降低起伏，也可能产生新的局部不均匀；多余钨被清除并不保证槽内无缝隙或表面已经洁净。
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