技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
背照式图像传感器中的两阶段背面硅CMP：物理机理、集成工艺与厚度控制
在完整流程中的功能 在现代图像传感器制造中，背照式 (BSI) 架构已取代传统的前照式配置，以最大化光学填充因子并消除多层互连金属层对光线的阻挡。
14nm FinFET工艺流程：集成逻辑、器件物理与模块依赖关系
工艺流程图与范围 14nm FinFET 工艺流代表了半导体微缩进程中的一个决定性时刻：大规模量产的第二代三维晶体管，其鳍片架构从初始形态演变为密度更高、静电控制能力更强的器件。
14nm FinFET侧壁隔离层集成工艺流程：原理、机制与模块依赖关系
在完整工艺流程中的角色 在14nm FinFET工艺中，侧壁隔离层模块占据了栅极图形化与源/漏（S/D）外延生长之间的关键节点。
14nm FinFET浅沟槽隔离凹槽集成：工艺流程原理与机制深度解析
在完整工艺流程中的角色 在14nm FinFET技术节点，浅沟槽隔离（STI）凹槽模块在更广泛的14nm FinFET工艺流程图中占据着独特的关键位置。
14nm FinFET 浅沟槽隔离工艺流程：集成原理、物理机制与模块依赖关系
在整个流程中的角色 在这份 14nm FinFET 集成流程中，浅槽隔离（STI）模块建立电隔离相邻器件的主要介质边界。
14纳米FinFET起始晶圆与衬底制备：集成逻辑、物理与工艺基础
完整流程中的角色 14nm FinFET 的起始晶圆和衬底制备模块——通常称为 WFR（晶圆起始）模块——是整个 14nm FinFET 制造序列中的首个工艺模块。
28nm平面工艺流：集成逻辑、器件物理与模块关联
工艺流程图与范围 28纳米平面工艺代表了业界在转向三维鳍式结构之前，基于经典平面金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）架构构建的最后一代主要技术节点。
28nm平面再分布通孔与铝焊盘集成：工艺流程原理与集成逻辑
在整个流程中的角色 28nm平面重布线通孔与铝焊盘集成模块位于后段工艺（BEOL）序列末端的关键位置。在此阶段，晶圆已完成了铜互连堆叠的制造——从第一层金属开始，经过28纳米平面上层金属互连集成工艺流程——该模块的核心…
28nm平面侧墙隔离层集成工艺流程：原理、机制与集成逻辑
在完整流程中的角色 侧墙间隔层模块位于28nm平面工艺的关键节点，桥接了栅极堆叠形成和源/漏工程。当该模块开始时，栅电极和栅介质已完成图形化，且轻掺杂漏极（LDD）注入已引入到栅极边缘附近的衬底中。
28nm平面浅沟槽隔离工艺流程：原理、集成逻辑与机制
在整个流程中的角色 28nm平面浅沟槽隔离（STI）模块是整个28纳米平面工艺流中最早的结构定义阶段之一。它接收已完成初始焊盘叠层制备的硅衬底（通常包括一层薄的热生长焊盘氧化层和一层沉积的氮化硅硬掩模层）。
40nm背照式CMOS图像传感器工艺流程：集成原理、器件物理及模块依赖关系
工艺流程地图与范围 40nm背照式（BSI）CMOS图像传感器代表了先进CMOS逻辑制造技术与专用光电器件工程学的融合。
40nm BSI CMOS图像传感器正面深沟槽隔离工艺流程：集成原理、器件物理与模块依赖关系
在完整流程中的角色 在40nm背照式（BSI）CMOS图像传感器中，正面深沟槽隔离（F_DTI）模块处于初始有源区定义与后续晶体管栅极叠层形成之间的战略位置。