28nm Planar Flow 28nm 工艺步骤 | SemiFlows
28nm Planar Flow
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MG CMP
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锁定步骤
CT Tungsten CMP
175
/
266
锁定步骤
下一步
流程概述
有源区 (AA)
7
1
AA Pad Oxidation
2
AA Pad Nitride Deposition
3
AA Amorphous Carbon Deposition
4
AA N-free DARC Deposition
5
AA Cap Oxide Deposition
浅槽隔离 (STI)
18
8
AA Etch
15
STI Liner Oxidation
18
STI HARP Oxide Deposition
21
STI CMP
阱区注入
7
栅极
27
45
High-k HfO2 Deposition
54
P1 Poly Photo
离子注入
33
源漏极
11
100
SiGe Deposition
侧墙
6
107
Spacer2 Etch
源漏极
17
中间连线层
23
接触孔
5
替代金属栅 (RMG)
13
155
Dummy Poly Dry Removal
167
MG CMP
金属 1 层
8
+8 步骤
接触孔
12
187
CT Tungsten CMP
金属 1 层
17
金属 2 层
20
218
V1M2 Etch
222
M2 Copper Electrochemical Plating
224
M2 Cu CMP
上层金属
19
电阻通孔/钝化
15
钝化 (CB)
8
262
CB Etch
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