技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
热处理2026年3月29日6 分钟阅读
毫秒级闪光退火：物理原理及其在先进半导体制造中的作用
简介 在对半导体器件微缩的不懈追求中，掺杂剂的精确空间控制已成为前段工艺（FEOL）制造中最关键的挑战之一。毫秒级闪光退火（Millisecond anneal flash），通常简称为毫秒退火（msec…
热处理2026年3月29日6 分钟阅读
半导体制造中毫秒级快速热退火的物理与原理
毫秒退火用短时热脉冲在掺杂激活与扩散预算间权衡；现有 7nm 路线未将退火工位标为毫秒工艺。
热处理2026年3月29日6 分钟阅读
快速热处理：热预算与不同用途
快速热处理是一类受控加热操作。区分退火与氧化，结合完整热历程解读结果，再阅读现役流程中一个有明确边界的RTP步骤。
热处理2026年3月29日6 分钟阅读
半导体制造中的热扩散：原理、物理机制与工艺演进
在半导体制造领域，热扩散是一种基础工艺，用于控制原子、离子和点缺陷在高温影响下的固态晶格内移动。从历史上看，该工艺是将掺杂原子引入硅衬底以形成 p-n 结的主要方法，从而确定分立器件和集成电路的电气特性。
热处理2026年3月15日6 分钟阅读
快速热退火：激活与扩散的权衡
快速热退火可能激活掺杂剂并改变损伤，也可能造成再分布。结合实测结果理解权衡，再到公开Flow中定位相关热处理职责。
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