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28nm 工艺流程Planar MOSFET

成熟制程节点,完整覆盖从 STI 到 Final Passivation 的全部工艺流程。适合系统学习半导体制造基础概念与 HKMG 集成工艺。

28nm Planar Flow

266 步骤

步骤索引

  • 有源区 (AA) · AA Pad Oxidation
  • 有源区 (AA) · AA Pad Nitride Deposition
  • 有源区 (AA) · AA Amorphous Carbon Deposition
  • 有源区 (AA) · AA N-free DARC Deposition
  • 有源区 (AA) · AA Cap Oxide Deposition
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节点知识地图

28nm 工艺集成文章

从节点总览进入各模块的原理与集成逻辑;每篇文章都回到对应的真实 Flow Step。

节点总览28nm平面工艺流:集成逻辑、器件物理与模块关联
  1. 259CB28nm 末端介质钝化与开口集成
  2. 01AA28纳米平面有源区定义工艺流程:集成原理与物理机制
  3. 08STI28nm平面浅沟槽隔离工艺流程:原理、集成逻辑与机制
  4. 26WELL28nm平面阱形成工艺流程:集成逻辑、器件物理与模块依赖关系

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GATE28nm平面栅极堆叠集成工艺流程:原理、机制与集成逻辑
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