14nm FinFET 14nm 工艺步骤 | SemiFlows
14nm FinFET
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S/D Si/SiGe Epitaxy
156
/ 362
锁定步骤
RMG Tungsten CMP
156
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362
锁定步骤
下一步
流程概述
晶圆准备
1
1
substrate
Fin 图案化
16
2
Pad Oxide Growth
3
Pad Nitride Deposition
4
Stop Oxide Deposition
5
a-Si Hardmask Deposition
Fin 切割
11
浅槽隔离 (STI)
24
34
STI Liner Deposition
35
STI FCVD Oxide Fill
37
SiO2 CMP to SiN Stop
STI 凹槽刻蚀
12
Fin 凹陷
3
66
Fin Recess Etch
栅极
25
91
Dummy Gate a‑Si Etch
离子注入
4
侧墙
2
嵌入式 SiGe
13
嵌入式 Si 外延
17
124
S/D Si/SiGe Epitaxy
CESL + PMD
13
替代金属栅 (RMG)
17
157
RMG Tungsten CMP
+16 步骤
PMD 第二层
6
源漏接触
30
165
PECVD SiN Hardmask Deposition
173
SC Contact Trench Dielectric Etch
194
SC W Fill CMP
金属电阻接触
9
接触沟槽
31
栅极接触
28
262
W Fill CMP
金属 1 层
50
金属 2 层
50
361
M2 Cu CMP
选择解锁方案
接下来学什么
解锁 14nm 三维栅极与 RMG 模块，查看横跨立体硅鳍的虚栅平坦化、栅极侧墙与金属栅置换截面。
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14nm
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