通孔接触 CMP 处理 W/TiN/Ti 场区覆盖，保留孔内连接并向 M0 介质交付表面（工程实践）。
本步位于 VC Fill Deposition 之后，当前堆栈为 W/TiN/Ti，后续为 Post CMP Clean、M0 ESL 与 PMD5 沉积。早期接触 CMP 的 Co 体系不能替代本次 W 身份；表面处理也不能保证下一层所有薄膜完全均匀。
表面化学反应、溶解或钝化行为与机械接触共同影响金属去除。凸起和凹陷区域的接触与输运不同，为整平提供条件；材料选择性与局部图形仍使实际去除不均一。化学活性增强既可能促进去除，也可能加强钝化，不能推导普遍单调关系。
清除场区连续导电层后，周围介质才能隔开不同金属通路。衬层与填充金属的作用及暴露位置需分别追踪；停止材料的较低去除速率不意味着所有位置自动停下。CMP 改变的是可接触的上表面，不能把常规表面凹陷直接解释为接触孔底部被抛光。
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