本步沿已保存的栅接触图形去除介质并打开氮化硅栅帽，为后续清理与金属填充提供通路，栅帽属于介质而非待刻蚀的金属盖层。（工程实践）
两轮图形保存之后，当前记录继续去除掩模及层间介质，先在替换栅的氮化硅帽附近控制介质刻蚀，再打开该帽层。氮化硅栅帽是保护介质，不能因其位于金属栅上方就称为金属盖层，也不能写成没有停止层作用的连续无差别刻蚀。
方向性离子作用和表面反应共同影响介质去除、侧壁保护与底部开通。选择性依赖实际材料及反应条件，不能仅以键强排序推断，也不能从 integrated etch 名称推定采用准原子层刻蚀或稳定混合层。阶段性材料保持与随后有意开帽是不同任务。
开口为后续去灰、清洗和金属填充提供可达路径，本身不是完整导电接触。掩模位置误差不会在刻蚀中自动消失；残留可能妨碍接触，过度去除可能损耗栅帽、侧墙或暴露的栅表面。最终电阻和电容依赖实际几何及后续材料形成，不能由开口完成直接保证。（工程实践）
底部残留和保护材料损耗需要分别检查，开孔不等于填充完成或接触电阻合格。（工程实践）
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