7nm FinFET预览

本 Flow 中的作用

本 7nm Flow 的 eSi Growth 位于源漏凹槽刻蚀和清洗之后。暴露的晶体硅为硅外延提供晶格模板，介质边界与已有凹槽形状约束预期生长位置，但选择性和晶体质量仍是需要控制的工艺结果。介质侧墙用于分隔区域，并不是晶体生长模板。

Flow 中另有独立的 eSiGe Growth 步骤。关于硅锗应力源的一般介绍，不能证明当前 eSi 步骤沉积 SiGe 或产生特定沟道应变。同样，存在外延步骤也不能证明掺杂完全激活或材料没有缺陷。

生长、选择性与形貌

气相外延中，前驱物反应提供可吸附、扩散并并入暴露晶体的物种。硅与介质表面的反应和成核差异使选择性生长成为可能。采用同步刻蚀的化学体系中，沉积与去除相互竞争，其平衡影响净生长和寄生成核；仅凭步骤名称不能保证选择性。