伪栅硅刻蚀把已有掩膜图形转移到硅层，为后续侧墙与源漏提供几何参照；图形栅长不等于有效沟道长度（工程实践）。
本步在 Integrated Hardmask Etch 和 Post Etch Clean 之后，后续为清洗、Spacer Deposition 与 SiN Cap Deposition。它保留图形化伪栅并去除暴露硅区，不是更晚为了替换金属栅而移除伪栅的操作。当前栅氧和未来各介质层的身份须按真实形成顺序判断，不能把所有下层介质都称为 high-k。
在等离子体辅助刻蚀中，活性物种与暴露材料反应，离子参与表面活化、反应层去除和产物脱附。朝向晶圆的离子通量主要作用于朝上的表面；侧壁上的反应与保护状态取决于化学、输运和局部几何。方向性并不等于侧向去除为零，也不能从材料名称推断无限选择性。不同层的反应与去除条件不同，掩膜保留和底层损耗需要分别考虑。
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