Gate Contact_E2 光刻通过光学成像与光刻胶溶解度差异，在显影后保留预定的第二组图形 [P3]。
本 Flow 的 E1 与 E2 光刻分别定义两组栅接触位置。E1 经过 SiON 与记忆层刻蚀保存图形，再重新涂覆并准备 E2；E2 图形随后也转入记忆层，最后由 Gate Contact Integrated Etch 向下转移。这一顺序与本 Flow 的步骤及对应图形一致，不应将 E2 泛称为仅校正 E1 错位的曝光（流程结构核验）。
光学成像将图形投射到光刻胶中，曝光与后续处理形成溶解度差异，显影保留指定图形 [P3]。本步首先改变成像层，而不是直接完成到金属栅的深接触。光刻胶与下方硬掩膜共同组成转移链，后续 SiON 刻蚀把当前图形写入更能承受进一步刻蚀的层 [A1]。
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