7nm FinFET预览

从过填充堆栈到分离的栅电极

本 Flow 先进行功函数金属沉积、Metallization Scrub 和 W Fill Metal Deposition，再进行 Metal Gate CMP。CMP 去除栅槽之外的多余钨及需要清除的导电衬层，使场区导电通路被断开，并调整栅顶相对于周围介质的高度。栅的横向边界继承既有槽形，不由抛光重新定义。

清洗与钨填充是独立步骤：先前的 scrub 不能清除尚未沉积的钨中的空洞，CMP 也不保证消除已经埋在槽内的缝隙。当前工序后仍有 ash 及密封层等操作，不能把抛光完成等同于已经得到完全洁净的最终表面。

化学反应与机械去除共同作用

表面反应、磨粒接触、相对运动和输运共同影响材料去除。化学软化或形成可去除表面层可以与机械去除耦合，但实际主导反应取决于材料和介质，不能从 CMP 名称推导唯一配方。金属相对介质的选择性是有限的条件关系，而不是到达界面后自动停止的保证。