技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
先进半导体制造中突破性刻蚀（Break-Through Etch）的原理与集成
引言 在先进半导体制造领域，实现亚纳米级的结构精度需要对每一个界面和薄膜表面进行绝对控制 A2。在基于等离子体的干法刻蚀工艺中，最关键但常被忽视的阶段之一是初始步骤：穿通刻蚀（break-through etch），也称为突破刻蚀、BT刻蚀或初始刻蚀 T1。 在对主要目标材料（如多晶硅、金属或先进电介质）进行图形化之前
栅极互连指南：物理原理、工艺集成与纳米级演进
引言 在现代半导体制造中，栅极互连代表了有源晶体管开关元件与上层金属化布线层之间的关键物理及电气桥梁 T1。该接口负责向栅极提供电压激励，通过调节晶体管沟道的静电势来切换器件的导通与关断状态 T3。从历史上看，为了降低电气短路的风险，栅极接触点通常被设置在远离有源沟道区域的位置；然而，随着器件尺寸的缩小，这种布局策略成
半导体制造中的未掺杂硅酸盐玻璃（USG）：原理、机械可靠性与工艺集成
引言 未掺杂硅玻璃（USG）是现代半导体制造中最基础的薄膜介电材料之一 T1。其本质是一种高纯度非晶二氧化硅（SiO₂）薄膜，在沉积过程中不刻意引入硼或磷等掺杂剂 T1, A1。与硼磷硅玻璃（BPSG）或磷硅玻璃（PSG）等通过人为引入杂质以降低热回流温度或吸除移动离子污染物的掺杂玻璃相比，USG 保持了化学纯度和结构
Low Energy Contact Engineering: Principles, Physics, and Advanced Node Integration
Introduction In modern very-large-scale integration (VLSI) manufacturing, contact resistance ($R_c$) at the metal-semiconductor interface represents one of the
Plasma Enhanced Oxide (PEOX): Principles, Chemical Mechanisms, and Advanced Node Integration
Introduction In the field of semiconductor fabrication, silicon dioxide (SiO2) serves as the primary insulating and passivating material across all operational
远程等离子体氧化物刻蚀：物理机制、工艺原理及先进节点集成
引言 在先进半导体制造中，如何在不损伤底层原子层的情况下选择性去除超薄膜，是实现器件微缩的一项关键要求 T2。随着晶体管从平面架构向复杂的 3D 结构过渡，传统的干法刻蚀技术面临物理极限 T1, T2。标准的反应离子刻蚀 (RIE) 系统会使衬底受到高能离子轰击，这可能导致严重的晶格缺陷、晶圆带电以及关键尺寸 (CD)
Demystifying the Reset Transistor (RST): Physics, Process Integration, and Advanced Node Challenges
Introduction The reset transistor (RST) is a foundational element in modern integrated circuit design, playing a crucial role in both optical sensing and advanc
先进半导体工艺中氮氧化硅的基本原理
简介 氮氧化硅（Silicon oxynitride），化学式表示为 $SiO_xN_y$，通常简称为 SiON，是一种非化学计量比的介电材料，在集成电路（IC）器件的微缩和性能提升中发挥了关键作用 P2, P4。从基本原理上讲，SiON 是纯二氧化硅 ($SiO_2$) 与氮化硅 ($Si_3N_4$) 之间的一种组
半导体制造中磷硅玻璃（PSG）综合指南
简介 磷硅玻璃 (PSG) 是一种重要的掺杂硅酸盐材料，广泛应用于硅基集成电路和微结构的制造中 T1。在结构上，PSG 是二氧化硅 ($SiO_2$) 和五氧化二磷 ($P_2O_5$) 的固态混合物 T1。在半导体制造史上，该材料发挥了多种关键作用，包括吸杂移动离子杂质、降低本征薄膜应力、通过热回流平坦化形貌，以及充
Conformal Silicon Oxide Hard Mask: Physical Principles, Process Integration, and Nanometer Scaling
Introduction In the relentless pursuit of Moore's Law, the semiconductor industry continuously scales integrated circuit (IC) dimensions down to the nanometer s
Silicon Carbonitride: Principles, Process Integration, and Advanced Node Evolution
Introduction Silicon carbonitride (SiCN) has emerged as a cornerstone material in advanced semiconductor manufacturing, bridging the gap between traditional die
Passivation Layer Deposition: Physical Principles, Process Integration, and Advanced Node Evolution
Introduction In modern semiconductor fabrication, the final steps of back-end-of-line (BEOL) processing are just as critical to device yield and reliability as