技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
28nm源漏集成中的选择性SiGe外延原理
<article 在完整工艺流程中的功能 在 28nm 平面工艺流程 (28nm Planar Flow) 的先进 p 型金属氧化物半导体 (pMOS)…
STI CMP对40nm BSI CIS中像素与外围集成的影响
在完整流程中的功能 在40nm背照式（BSI）CMOS图像传感器（CIS）中，浅沟槽隔离（STI）化学机械平坦化（CMP）是连接初次沟槽隔离形成与有源器件图形化之间的关键桥梁。
堆叠CIS热压键合机理：40nm BSI传感器中的物理原理与集成动力学
在完整流程中的功能 在现代成像架构中，背照式（BSI）CMOS 图像传感器（CIS）依靠异质垂直集成，将高填充因子的光电二极管阵列与高速处理逻辑分离。
7nm FinFET工艺中顶层钝化氧化物-氮化物叠层集成：物理机理、机制与后段工艺保护
完整工艺流程中的功能 在先进的 7nm 技术平台中，后段工艺 (BEOL) 互连层级终止于最顶层的金属化层（称为 M12）。
28nm平面工艺中的钨接触孔填充与化学机械平坦化
在完整工艺流程中的功能 在28nm平面CMOS架构中，钨接触插塞形成与随后的接触化学机械平坦化（CMP）构成了连接前段晶体管端子与第一层铜互连的关键导电界面。
背照式图像传感器中的两阶段背面硅CMP：物理机理、集成工艺与厚度控制
在完整流程中的功能 在现代图像传感器制造中，背照式 (BSI) 架构已取代传统的前照式配置，以最大化光学填充因子并消除多层互连金属层对光线的阻挡。
7nm FinFET集成中的通孔接触金属填充与CMP：力学、平坦化及模块交互
完整工艺流程中的功能 在先进逻辑制造中，中段工艺（MOL）模块充当了关键的电气和物理桥梁，连接了位于下方的前段工艺（FEOL）有源晶体管结构（特别是下层源极/漏极沟槽接触和局部栅极电极）与后段工艺（BEOL）的多层互连…
14nm FinFET接触刻蚀停止层与前金属介质集成工艺流程：原理、机制与集成逻辑
在完整流程中的角色 14nm FinFET接触孔刻蚀停止层与前金属介质（PMD）集成工艺位于晶体管制造流程的关键节点——在源漏（S/D）外延形成之后、接触孔金属化及第一层金属互连之前。
14纳米FinFET栅极接触集成：工艺流、物理原理与模块依赖关系详解
在完整流程中的角色 在14nm FinFET工艺流中，栅极接触（CONTACT_CG）模块起着连接埋入式替代金属栅极（RMG）堆栈与后段工艺（BEOL）互连层的关键垂直电学桥梁作用。
14nm FinFET接触沟槽集成工艺流程：物理原理、机制与模块依赖性
在整个流程中的作用 14nm接触孔沟槽（CONTACT_CT）集成模块在整体FinFET制造流程中占据关键的过渡位置，连接前段工艺（FEOL）晶体管形成与中段（MEOL）及后段（BEOL）金属化互连。
14nm FinFET 前金属介质表面回蚀与金属电阻集成
本站 14nm FinFET 流程中的 CONTACT_MR 模块以 PMD Surface Recess（前金属介质表面回蚀）为入口，随后涉及金属电阻集成与介质封装。入口步骤所指的材料是前金属介质。
14纳米FinFET自对准接触集成：工艺流原理与机制
在整体流程中的角色 14纳米FinFET自对准接触（SAC）集成是一个关键的中段（MOL）模块，连接了前段（FEOL）晶体管制造与后段（BEOL）互连层。