7nm FinFET 7nm 工艺步骤 | SemiFlows
7nm FinFET
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eSi Growth
154
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锁定步骤
Metal Gate CMP
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锁定步骤
下一步
流程概述
晶圆准备
1
1
Starting Wafer
浅槽隔离 (STI)
93
2
Pad Oxidation Pre Clean
3
Pad Oxide Growth
4
SiN Hardmask Deposition
5
Transfer Oxide Deposition
93
Fin Recess Etch
栅极
24
117
Etch a-Si Gate
源漏极
36
136
eSi Growth
+35 步骤
多晶硅开口抛光
27
替代金属栅 (RMG)
41
221
Metal Gate CMP
接触层
112
305
Gate Contact_E1 Lithography
314
Gate Contact_E2 Lithography
319
Gate Contact Integrated Etch
通孔接触 (V0)
47
380
Via Contact Metallization CMP
金属 0 层
67
金属 1 层
90
金属 2 层
51
金属 3 层
39
中间金属层 (M4-M8)
23
金属 9 层
19
金属 10 层
14
金属 11 层
14
金属 12 层
16
714
Passivation SiN Deposition
选择解锁方案
接下来学什么
解锁 7nm 自对准接触（SAC）与钴/铜互连模块，理解微缩接触孔无短路裕度控制与后道电阻-电容权衡。
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