7nm FinFET 7nm 工艺步骤 | SemiFlows
7nm FinFET
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Transfer Oxide Deposition
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锁定步骤
Fin Recess Etch
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锁定步骤
下一步
流程概述
晶圆准备
1
1
Starting Wafer
浅槽隔离 (STI)
93
2
Pad Oxidation Pre Clean
3
Pad Oxide Growth
4
SiN Hardmask Deposition
5
Transfer Oxide Deposition
93
Fin Recess Etch
+88 步骤
栅极
24
117
Etch a-Si Gate
源漏极
36
136
eSi Growth
多晶硅开口抛光
27
替代金属栅 (RMG)
41
221
Metal Gate CMP
接触层
112
305
Gate Contact_E1 Lithography
314
Gate Contact_E2 Lithography
319
Gate Contact Integrated Etch
通孔接触 (V0)
47
380
Via Contact Metallization CMP
金属 0 层
67
金属 1 层
90
金属 2 层
51
金属 3 层
39
中间金属层 (M4-M8)
23
金属 9 层
19
金属 10 层
14
金属 11 层
14
金属 12 层
16
714
Passivation SiN Deposition
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解锁 7nm 高深宽比硅鳍与前道隔离模块，查看多重图形化成鳍、深浅槽隔离与沟道应力工程的逐步截面。
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