技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
Etch Back Principles, Integration Physics, and Technology Node Evolution
Introduction In the continuous scaling of integrated circuits, achieving planar, void-free, and highly reliable multi-layer structures is a primary objective of
Unlocking Performance and Precision: The Physics, Mechanics, and Evolution of Contact Etch Stop Layers
Introduction In the continuous push to downscale semiconductor devices, geometric scaling alone has long ceased to be the sole driver of performance improvement
先进半导体制造中刻蚀停止层（ESL）的物理机制与工艺集成
引言 在现代半导体制造中，在深宽比（high-aspect-ratio）特征结构中保持原子级尺寸控制是器件微缩最关键的要求之一 P1。随着水平尺寸的缩小，干法刻蚀过程中的垂直深度控制极易受到工艺波动、衬底不均匀性和等离子体波动的影响 A2。为了减轻这些偏差，工艺工程师会使用一种称为刻蚀停止层（Etch Stop Lay
半导体制造中的反应离子刻蚀：物理机制、原理与工艺演进
引言 反应离子刻蚀（RIE）是半导体制造中广泛使用的一种基准干法刻蚀技术，用于将光刻图形转移到各种基板材料上 P1。随着集成电路特征尺寸缩小至纳米尺度，传统的基于液体的材料去除方法——如湿法刻蚀——因其本质上的各向同性而变得不再适用，这会导致掩模下方出现横向侧蚀 T2。为了克服这些限制，业界依赖于反应离子刻蚀工艺，该工
半导体刻蚀：物理原理、工艺机制与先进集成
简介 刻蚀是一种基础工艺，利用物理或化学方法去除不需要的材料部分，以制造精确的微观结构 P1。虽然最早的刻蚀技术出现在艺术领域，如雕塑和印刷，但现代刻蚀已发展成为微电子行业中最关键的工艺之一 P1。在半导体制造中，刻蚀用于通过使用掩模层（通常是光刻胶，有时也使用其他薄膜）选择性地去除材料来对薄膜进行图案化 T1。该工艺
半导体制造中的湿法刻蚀：原理、物理机制与工艺演进
简介 湿法刻蚀是半导体制造中一种基础的材料去除工艺，利用液体化学品或刻蚀液溶解晶圆表面的特定材料 P2。在微纳制造领域，湿法刻蚀工艺完全依赖于化学反应，而非物理离子轰击来实现材料去除 T1。任何湿法刻蚀工艺的总体流程均包括：反应性刻蚀物种输运至暴露表面、发生化学表面反应、以及反应副产物从表面扩散或输运离开 P2。从历史
干式刻蚀：原理、物理学和在先进半导体制造中的作用
介绍 干法刻蚀是现代半导体制造中最关键的图形转移技术之一 T2。与依靠液体化学溶液溶解材料的湿法刻蚀不同，干法刻蚀使用气相物种——最常见的形式是等离子体——从衬底表面去除材料 T1。"干法"一词反映了没有液体蚀刻剂的特点，由于几乎总是涉及等离子体，该过程经常被称为等离子体刻蚀或等离子刻蚀 P2。干法刻蚀在集成电路制造中