技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
远程等离子体氧化物刻蚀：物理机制、工艺原理及先进节点集成
在先进半导体制造中，如何在不损伤底层原子层的情况下选择性去除超薄介质薄膜，是实现器件微缩的一项关键要求。随着晶体管从平面架构向复杂的 3D 结构过渡，传统的干法刻蚀技术面临物理极限。
理解光刻-刻蚀-光刻-刻蚀（LELE）：物理原理、工艺集成与先进制程演进
简介 在持续追求缩小硅集成电路 (IC) 特征尺寸的过程中，半导体制造业最终遇到了光学分辨率的基本物理边界。根据瑞利分辨率准则，最小可分辨特征尺寸与曝光波长成正比，与投影光学系统的数值孔径 (NA) 成反比。
刻蚀回退原理、集成物理与技术节点演进
在集成电路的持续微缩过程中，实现平坦、无孔洞且高度可靠的多层结构是工艺集成的核心目标。在各种材料去除技术中，被称为刻蚀回退（Etch Back）的工艺发挥着至关重要作用。
半导体制造中的接触孔刻蚀停止层（CESL）：物理机制、应力工程与集成逻辑
在半导体器件持续缩小尺寸的过程中，仅靠几何缩放早已不再是提升晶体管性能的唯一动力。现代集成电路制造高度依赖材料创新与协同优化来克服物理极限。
先进半导体制造中刻蚀停止层（ESL）的物理机制与工艺集成
在现代半导体制造中，在深宽比特征结构中保持原子级尺寸控制是器件微缩最关键的要求之一。随着水平尺寸的缩小，干法刻蚀过程中的垂直深度控制极易受到工艺波动、衬底不均匀性和等离子体波动的影响。
半导体制造中的反应离子刻蚀：物理机制、原理与工艺演进
反应离子刻蚀（RIE）是半导体制造中广泛使用的一种核心干法刻蚀技术，用于将光刻图形转移到各种基板材料中。随着集成电路特征尺寸缩小至纳米尺度，传统的基于液体的材料去除方法——例如湿法刻蚀——因其本质上的各向同性而变得不再…
半导体刻蚀：物理原理、工艺机制与先进集成
简介 刻蚀是一种通过物理或化学方法去除不需要的材料部分，以构建精确微观结构的基础工艺。虽然最早的刻蚀技术出现在雕塑和印刷等领域，但现代刻蚀已演变为半导体制造中最关键的工艺之一。
湿法刻蚀：选择比、侧蚀与晶向各向异性
湿法刻蚀在液体中去除材料；选择比和侧蚀取决于化学体系与膜栈，单晶硅还可能表现晶向各向异性。
干法刻蚀：原理、物理学及其在先进半导体制造中的作用
介绍 干法刻蚀是现代半导体制造中最关键的图形转移技术之一。与依靠液体化学溶液溶解材料的湿法刻蚀不同，干法刻蚀使用气相物种——最常见的形式是等离子体——从衬底表面去除材料。