技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
沉积2026年3月29日5 分钟阅读
LPCVD 工艺集成：薄膜作用与热历史
解释沉积薄膜如何连接前序结构与后续工序。
沉积2026年3月29日6 分钟阅读
等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)：物理学、机制及在先进制造中的集成
简介 等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 是一种多功能薄膜沉积技术，在现代半导体器件制造中得到了广泛应用。
沉积2026年3月29日6 分钟阅读
半导体制造中的沉积物理与原理
沉积是半导体制造中的基石工艺，负责构建构成有源器件、绝缘屏障和导电互连的薄膜。现代半导体制造中使用许多沉积工艺，以在图案化衬底上构建介电层、半导体层和导电层 P3。
沉积2026年3月29日5 分钟阅读
半导体制造中的电化学沉积 (ECD)：物理机制、集成与演进
简介 电化学沉积 (ECD)，通常被称为电镀，是现代半导体器件制造中的一种基本金属化技术。其核心在于，ECD 涉及将电解液中的金属离子还原到导电衬底上，从而形成一层坚固且连续的金属薄膜。
沉积2026年3月29日6 分钟阅读
金属有机化学气相沉积：物理原理、机制与先进半导体制造
简介 金属有机化学气相沉积（MOCVD），也称为金属有机气相外延（OMVPE），是现代半导体制造中广泛应用的一种专用气相沉积技术。
沉积2026年3月29日5 分钟阅读
物理气相沉积（PVD）：蒸发、溅射及适用边界
PVD 通过蒸发或溅射把材料从源送到晶圆；最终薄膜取决于输送、化学与表面条件。
沉积2026年3月15日6 分钟阅读
原子层沉积（ALD）：靠自限制反应一层一层长膜
原子层沉积（ALD）靠顺序脉冲与自限制表面反应逐原子层成膜：厚度只由循环数决定，深沟槽与三维结构内每个表面拿到同一厚度——纳米器件的基石工艺。
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