片电阻相同，表示可比条件下测得的片电导相同；它通常不证明掺杂剂量、深度分布、活性载流子分布或迁移率相同。不同内部状态可以形成相同的积分电学结果。
积分会丢失空间信息
在具有深度分布的导电层中，片电导把导电厚度内的局部电导率加总。局部电导率取决于载流子数量和迁移率；积分不保留每一项贡献发生在哪里的独立标签。
因此，较浅而电导率较高的区域，与较深而电导率较低的区域，可以具有相近总片电导。这是概念反例，不是两套工艺方案，也不保证其中任一分布满足器件要求。
Process checkpoint · 工艺坐标
理解 PolySi Anneal 的工艺作用
辨认载流子活化与多晶结构对电导的不同贡献，解释为何单项电阻不能选定唯一原因。
与「为什么片电阻相同不能证明掺杂分布相同」相关的流程位置：40nm BSI CMOS Image Sensor · GATE · Step 80
化学原子数不是所测电流
化学浓度分布统计掺杂原子；导电则依赖可用载流子及其输运。补偿、未完全活化和材料结构会改变两者关系。多晶硅中的晶粒相关效应，又增加了不能从电阻唯一确定活性掺杂分布的原因。
退火工位因此包含多种可能的电导变化贡献，不能把较低电阻一对一换算成唯一活化比例。
更强推断需要什么条件
受限的分布模型和独立信息能减少歧义。教材讨论简单高斯与误差函数分布，但必须检查这些模型成立的边界条件；模型假设并不是新增测量。
同样，电阻相同不能认证结深或表面浓度相同。即使导电层的积分电阻相同，最终器件仍可能对这些差异敏感。
不过度解释一项观察
阅读 polySi 退火说明，找出活性载流子与多晶基体的变化。只给出“电阻降低”时，写下可支持的结论，以及仍未确定的两种解释。
合格回答应报告电学变化，同时把化学分布、结构与活化声明留给适当证据。本篇在已有活化—扩散和剂量—活性掺杂文章之外增加逆问题判断。
参考来源
Silicon VLSI Technology - Full
James D. Plummer, Michael D. Deal, Peter B. Griffin
Silicon VLSI Technology · ISBN 978-0130850379