暗电流指没有预期照明时产生或被收集的不需要电流;读出噪声指储存信号在转换和读出过程中引入的不确定性。暗电流既可能形成平均暗信号,也会带来时间波动,不能把所有“像素很吵”的现象都叫暗电流。
从黑暗中的像素开始
即使没有预期光照,传感器仍可能通过热产生和其它漏电机制积累电荷。这部分电荷形成平均暗信号,大小与器件和条件有关,也包括可用于积累的时间。
电荷产生过程本身还会波动。在简单的独立事件模型中,相关散粒噪声方差跟随平均积累事件数变化。减去平均偏移,并不能消除某次曝光中实际出现的随机波动。
Process checkpoint · 工艺坐标
理解 HKD/AR1 AlO deposition 的工艺作用
查看背面表面钝化在暗电流控制中的作用。
与「暗电流与读出噪声:分开看电荷积累和读出」相关的流程位置:40nm BSI CMOS Image Sensor · BKPAS · Step 307
读出又增加一层不确定性
电荷需要转换成电信号,再经过读出链路。晶体管噪声、采样行为和后续电路都可能贡献不确定性。折算到输入端后的大小与链路及转换增益有关,不能只用暗电流大小推断。
| 分量 | 积累或变化的是什么? | 需要区分什么? |
|---|---|---|
| 平均暗信号 | 不需要电荷的平均积累 | 平均偏移不是随机噪声 |
| 暗电流散粒噪声 | 积累事件的随机波动 | 减去均值不能抹去它 |
| 读出噪声 | 转换和读出加入的不确定性 | 暗积累很小时仍可能存在 |
| 像素间暗信号差异 | 不同像素的平均暗行为 | 空间不均匀不等于时间噪声 |
为什么一张暗场图不够
暗场图可以同时包含平均偏移、空间不均匀与时间波动。一个亮异常点,可能涉及较高暗产生、读出偏移或其它缺陷,不能仅凭图像确定单一根因。
可以做一个概念练习:比较多次暗场观察,先分开每个像素的平均值和逐帧波动,再在读出条件可比时,观察结果怎样随积累时间改变。随时间积累的分量与读出贡献是不同假设,但真实器件也可能包含混合机制或随时间变化的行为。
这是一套推理框架,不是标定配方,也不假定所有噪声都是白噪声或所有像素服从同一模型。
工艺界面与电路设计在这里相遇
半导体缺陷和界面会影响不需要电荷的产生,读出晶体管与采样结构又引入自己的行为。改善其中一项,可能只是让原先被掩盖的另一项显现,而不是使图像彻底无噪声。
同样,更高转换增益会改变后续电压噪声折算为输入电荷时的重要性,却不能证明暗产生消失。清晰的比较需要说明信号参考和测量条件,不能把电压噪声、电子数折算噪声和暗电流混在一起。
原始资料链接
参考来源
Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits - MOS Transistor
Chenming Hu
Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits · Ch6 MOS Transistor
Physics of Semiconductor Devices - Full
S. M. Sze, Kwok K. Ng
Physics of Semiconductor Devices · ISBN 978-0-471-14323-9