栅距、物理栅长与有效沟道长度：先看边界

栅距、物理栅长和有效沟道长度描述的是不同距离。栅距说明相邻栅如何重复排列，物理栅长说明电极沿电流方向的图形长度，有效沟道长度则属于电学器件模型。没有统一定义和证据，不能用其中一个数替代另一个。[T1][T2]

先确定测量方向

设想一排平行、等宽的栅线。沿垂直于栅线的方向，一个重复单元包含一条线以及到下一条线之间的空隙，重复距离就是节距。在这个简化几何中，如果各条线的中心位置不动，只把线变窄，间隙会增大，节距却不变；如果把中心位置移得更近，即使线宽不变，节距也会改变。教材在互连图形中给出了“线宽加间距”的几何定义；把这种几何记账方式用于平行栅线，不等于把金属线示例当成栅工艺规格。[T1]

方向很重要。栅极还会沿晶体管宽度方向延伸；量这段延伸，不自动等于量源漏输运方向上的栅长。比较两张图之前，应先标出电流方向、栅边缘，以及哪个对象在相邻位置重复。

分开版图、实体栅和沟道

设计者指定版图栅长，图形转移形成实体栅，两者未必完全相同。电学沟道又是另一种量：它的定义需要考虑器件模型中相关的源漏边界。Hu 教材在讨论沟道长度提取时，明确区分了版图长度、物理栅长和有效长度。[T2]

量	比较哪些边界	单独不能确定什么
栅距	相邻栅的等价位置，并注明重复方向	其中任何一条栅线的宽度
物理栅长	已图形化栅的两个相关边缘	电学有效沟道长度
有效沟道长度	明确模型下的电学沟道边界	栅间距或接触尺寸
技术节点名称	一类技术的命名	任意图示上某段距离的测量值

对于最后一行，稳妥的阅读方式是向原始来源确认具体尺寸定义。一个名称没有提供其他几行所需的测量边界。

接触增加集成约束，不会重新定义栅长

“接触栅距”（contacted gate pitch）以及历史名称“接触多晶硅节距”（contacted poly pitch），把接触集成纳入了间距讨论。源漏连接既需要导电路径，又需要与邻近栅保持分离，因此可用空间里不只有一条裸露栅边：侧墙、保护结构和连接几何都可能占据空间。教材对侧墙和接触的说明，解释了为何这些邻近结构需要出现在晶体管截面中。[T2]

但这不意味着可以把互不对应截面中的名义宽度相加，得到通用的接触栅距。偏移、共享区域、三维位置以及来源的测量约定都必须明确。同样，替换金属栅流程里出现“poly pitch”这个名称，也不能证明最终工作的电极就是多晶硅。

用反例检查微缩结论

第一个反例是：在理想化图中保持栅线中心不动，只缩短物理栅长，节距并没有改变。因此，“栅更短”并不总能推出“栅阵列排列更密”。

第二个反例是：保持图形化栅不变，只改变电学模型所考虑的源漏结边界，有效沟道长度可以变化，而物理栅长不必有同样变化。这解释了为什么基于电流的提取与电极图像回答的是不同问题；它不是从未经标定图像中提取沟道长度的操作方法。[T2]

第三个检查对象是接触开口。更宽的连接可能改善一处几何裕度，同时占用另一处空间，却不会因此自动加长沟道。自对准与普通接触边界讨论保护和重叠，接触电阻与互连电阻则处理另一项电学任务。

阅读真实图形转移工位

继续查看 14nm Dummy Gate a-Si Etch，第 91 步。其目的说明最后一节明确区分了已刻出的栅图形与有效沟道长度，并说明后续结分布和电学定义仍会起作用。请找出当前已有的栅图形，再指出哪些后续结构尚未形成。本站能承接这项边界识别任务，不提供接触栅距的测量值或电学提取数据。

可以在概念草图旁分别写下三组标签：重复栅的位置、实体栅边缘、电学沟道边界。如果图中缺少其中一对边界，就让对应距离保持未知。图画得清楚，不能替代尚未给出的定义。

来源

• Plummer、Deal 与 Griffin，Silicon VLSI Technology
• Chenming Hu，Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits，第六章