阵列平均暗电流降低，本身不证明少数高暗电流像素改善。平均值概括总体，尾部描述其中很小的一部分；两者都影响图像，却可以朝不同方向变化。
分开总体与异常点问题
局部缺陷和工艺差异会使像素之间存在很大区别。多数像素暗信号很小时，少数像素仍可能形成可见白点。钉扎光电二极管综述同时讨论低平均暗电流与局部问题。
设想一个阵列：多数像素改善，少量缺陷像素保持不变。平均值会下降，异常点数量却未必下降。反过来，减少少数极端像素可以改善尾部，而总体中心位置未必同等明显变化。
Process checkpoint · 工艺坐标
理解 P-Pinning Ion Implantation 的工艺作用
解释表面钉扎这一边界控制机制，并指出为何转移栅缺陷和局部差异仍可产生异常点。
与「平均暗电流与热像素尾部需要分别取证」相关的流程位置：40nm BSI CMOS Image Sensor · PD · Step 99
一种机制可以有帮助，却不覆盖所有位置
表面钉扎改变光电二极管界面附近的载流子数量，管理一个重要边界；邻接转移栅及其下方、周围的缺陷仍可能产生被储荷阱收集的载流子。注入相关局部缺陷也可贡献暗电流，但不是所有异常点的统一解释。
因此，一项预期钝化机制成功不能认证每个像素。产生位置与通往收集区的路径都需要辨认。
保持比较条件一致
比较平均值或尾部，需要一致的观察基础，包括积累时间、温度、偏置和异常点定义。判据改变时，报告数量可以改变，而器件总体未变。
一张暗图不能确定每个极端像素的原因。需要重复观察与对机制敏感的证据，分开持续高产生、偏移和随时间变化的行为。这是推理边界，不是筛选配方。
把钉扎工位读作一项贡献
辨认钉扎管理的表面边界，再指出这句话未包含什么：邻接转移栅、局部缺陷与阵列分布。解释为何较小平均值不够签署“全部白点消失”。
现有暗电流—读出噪声文章区分时间噪声来源，本篇增加总体—尾部验收问题，不把所有热像素重命名为钉扎失败。
参考来源
A Review of the Pinned Photodiode for CCD and CMOS Image Sensors
E. Fossum, Donald B. Hondongwa · IEEE Journal of the Electron Devices Society
A Review of Ion Implantation Technology for Image Sensors †
N. Teranishi, G. Fuse, M. Sugitani · Italian National Conference on Sensors