7nm FinFET预览

本步承接 CSOH、SiON 堆叠与光刻前清洗，在光刻胶中定义栅接触 E1 图形，再交给后续 SiON 刻蚀。已有替换金属栅是接触最终要到达的对象；本次光刻尚未穿透硬掩膜或介质，也没有形成导电连接。

成像与相对位置

曝光引起胶内化学性质的空间变化，显影将溶解行为的差异转化为胶图形。图形相对已有栅结构的位置受叠对控制影响，轮廓还受到成像、胶反应及显影行为影响。反射控制和材料配合帮助管理这些因素，但不能保证无误差或从“栅接触”名称推出完全自对准。

向硬掩膜转移

胶图形为后续 SiON 及图形记忆层刻蚀提供位置模板，后续再经过开孔和金属化等操作实现接触。硬掩膜的作用是承接图形并在后续去除过程中提供相对耐受；是否适合取决于材料状态与刻蚀条件。E1 只标识这轮图形化，不能据此推定曝光极性、另一轮的用途或已经达到的电学状态。