光刻胶图形在电路区域尺度选择哪里允许注入；栅及其侧墙在单个器件附近定义局部边界。局部边缘自对准，不会消除同一次注入中保护其它区域的需要。
从两种坐标尺度开始
电路尺度上，掩膜可以露出某种晶体管或特定像素区域，覆盖其它位置；器件尺度上，已有的栅与侧墙在自身边缘附近阻挡入射离子。最终被注入区域取决于露出区域和局部几何共同作用。
“自对准”说明与已有特征之间的关系，不代表整片晶圆都接收该次注入，也不代表光刻叠对对所有边界都无关。
Process checkpoint · 工艺坐标
理解 NMOS S/D, FD Implant Mask Lithography 的工艺作用
辨认 NMOS 与 FD 区域的光刻选择，以及此前已形成的侧墙几何。
与「光刻胶选区与侧墙偏移作用于不同尺度」相关的流程位置：40nm BSI CMOS Image Sensor · NSDFD · Step 92
侧墙并非另一张电路选区图形
定向回蚀移除较水平表面上的介质后，可在栅侧壁留下介质形状，建立相对栅的偏移。区域光刻开口可以包围该器件，同时让已有侧墙控制靠近栅的注入边界。
没有证据时，不应说同一物理层同时承担两种任务。版图开口与截面中的侧墙回答不同的空间问题。
条件与反例
侧墙正确并不能阻止离子进入误露出的其它电路区域；区域选择正确也不能证明局部侧墙宽度或结分布正确。任一错误都可能在另一部分掩蔽系统正常时存在。
这里不提供掩膜尺寸或注入角度。离子也可能发生散射或后续再分布，所以掩膜边缘不是最终化学结的完整测量。
阅读两个工位，解释为何共存
先辨认注入光刻选择的区域，再找到回蚀留下的侧墙，分别说明哪条边界跟随光刻图形、哪条边界跟随已有栅几何。
本任务在现有 LDD—halo 讨论之外补充空间掩蔽区别，不重新划分这些注入的电学职责，也不以“自对准”标签代签全部叠对与分布要求。
参考来源
Silicon VLSI Technology - Full
James D. Plummer, Michael D. Deal, Peter B. Griffin
Silicon VLSI Technology · ISBN 978-0130850379