栅功函数与沟道掺杂都会影响阈值电压，但作用于 MOS 静电关系的不同部分。功函数参与栅与半导体的能量对齐；沟道掺杂影响建立沟道条件时所需的半导体势能与耗尽电荷。阈值相同，不代表两种器件物理上等价。
阈值来自膜栈与半导体的共同作用
在简单长沟道平面模型中，阈值与平带对齐、所需表面势，以及栅需要平衡的电荷有关。栅介质把栅电压耦合到这些电荷，界面和氧化层电荷还会进一步移动关系。
这个模型适合拆分贡献，却不是所有现代晶体管的完整描述。几何、短沟道效应和量子行为可能需要额外处理。因此，解释阈值调控时，应先说明模型，再讨论各项作用。
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改变能量对齐，不等于改变体区电荷
调节有效栅功函数，改变膜栈相对于半导体的静电对齐；调节沟道掺杂，则直接改变半导体本身，影响耗尽和其它器件性质。所以，后者可能带来阈值移动之外的后果，例如散射、结行为和波动。
| 路径 | 主要物理变化 | 同时要问什么 |
|---|---|---|
| 有效栅功函数工程 | 膜栈与半导体的对齐关系 | 界面、稳定性与实际有效功函数 |
| 沟道掺杂工程 | 半导体电荷与势能分布 | 迁移率、耗尽、结与波动 |
| 氧化层/界面电荷变化 | 增加静电电荷贡献 | 变化是否稳定、是否来自缺陷 |
加入第三行，是因为观察到阈值移动，并不能证明前两种预期设计中的某一种成功了。
有效功函数属于真实膜栈
独立金属材料的性质，不能自动代表经过处理的栅膜栈有效行为，界面和化学相互作用都重要。因此，有意义的比较对象是完成后的栅结构，而不只是沉积导体的名称。
同样，名义沟道注入也不能完整规定最终活性分布。后续处理可能改变掺杂位置或激活状态。阈值连接到最终电学结构，而不是操作标签。
阈值相同的思想实验
设想两种器件在相同提取方法下具有相同阈值：一种更多依靠功函数调节，另一种更多依靠沟道掺杂。它们仍可能在迁移率、电容、短沟道行为和器件间波动方面不同。
再设想电应力后阈值发生移动。不能马上把它描述成成功的功函数工程，因为俘获电荷或界面变化也可能移动特性。电学结果相似，不意味着原因相同。
原始资料链接
参考来源
Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits - MOS Transistor
Chenming Hu
Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits · Ch6 MOS Transistor