28nm Planar Flow预览

器件背景与集成逻辑

V1M2 Etch 在 M2 模块中形成连接下方 M1 的通孔与 M2 沟槽组合，为后续阻挡层、种子层和铜填充定义介质空腔。这里的工序身份由当前 Flow 的 M2 模块与上下游步骤核实；不是 M1 沟槽形成后再进入一次 V1M2 光刻。low-k 介质的离子辅助刻蚀机理仍需与轮廓控制及材料损伤共同理解 [P1]。

物理与化学刻蚀机理

V1M2 Etch 通过对 low-k SiOCH 类介电材料进行各向异性等离子体刻蚀来实现，其中定向离子轰击提供垂直性，而含氟自由基驱动化学键断裂并形成挥发性的硅–氟副产物 [P1]。其基本机理为离子辅助化学反应：离子向表面传递动量，降低自由基与介电网络之间化学反应的活化能，从而实现具有受控侧壁的高纵横比沟槽形成 [P4]。