化学结由相关掺杂浓度相平衡处的分布定义；耗尽区边界则界定所关注电学状态下移动载流子减少的区域。两者不是同一几何线的两个名称。
从分布定义开始
对于简单扩散区，教材把引入化学浓度与背景浓度相交处定义为冶金结。这是浓度分布定义；电学载流子分布可与化学边界不同，实际补偿或复杂分布还需要更谨慎解释。
光刻开口并不直接测量浓度分布。注入散射与后续再分布，可以把掺杂放到最初露出轮廓之外。
Process checkpoint · 工艺坐标
理解 N FD (Between T1 and T2) Ion Implantation 的工艺作用
辨认 FD 的掺杂区域及反偏耗尽对电容的贡献，解释两种边界为何不同。
与「化学结与耗尽区边界是不同位置」相关的流程位置：40nm BSI CMOS Image Sensor · NFD · Step 96
耗尽属于某种电学状态
在 p–n 结处，电荷再分布与静电条件决定两侧耗尽区。FD 电容研究把结电容与耗尽宽度、结面积联系起来，并与栅重叠和金属电容分开分析。
因此，一次电学观察变化，不一定意味着观察期间化学结发生移动；化学分布变化也会影响电学边界和电容。两种描述相互影响，却不是同一个对象。
条件与反例
同一制造区域在不同电学状态下可有不同耗尽条件；掩膜轮廓相近的两区域也可具有不同化学分布。版图边界或单一电容结果，都不能唯一补出缺少的浓度分布。
本篇以简单结图像澄清定义，不把工作中的耗尽边界当成尖锐材料界面，也不指定偏置或注入条件。
在 FD 同时辨认两种边界
阅读 FD 工位，说出引入的掺杂区域，再辨认反偏时对电容有贡献的耗尽区。解释哪句话涉及制造，哪句话涉及电学状态。
合格答案应把化学结位置留给分布证据，把耗尽范围留给静电证据。这是空间边界任务，与比较总剂量和活性载流子不同。
参考来源
Silicon VLSI Technology - Full
James D. Plummer, Michael D. Deal, Peter B. Griffin
Silicon VLSI Technology · ISBN 978-0130850379
[Paper] Analysis and Reduction Technologies of Floating Diffusion Capacitance in CMOS Image Sensor for Photon-Countable Sensitivity
Fumiaki Kusuhara, Shunichi Wakashima, Satoshi Nasuno, R. Kuroda, S. Sugawa