28nm Planar Flow 28nm 工艺步骤 | SemiFlows
28nm Planar Flow
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STI CMP
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锁定步骤
High-k HfO2 Deposition
29
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锁定步骤
流程概述
有源区 (AA)
7
浅槽隔离 (STI)
18
阱区注入
7
+7 步骤
栅极
27
离子注入
33
源漏极
11
侧墙
6
源漏极
17
中间连线层
23
接触孔
5
替代金属栅 (RMG)
13
金属 1 层
8
接触孔
12
金属 1 层
17
金属 2 层
20
上层金属
19
电阻通孔/钝化
15
钝化 (CB)
8
选择解锁方案
选择解锁方案
28nm
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