7nm FinFET 7nm 工艺步骤 | SemiFlows
7nm FinFET
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Etch a-Si Gate
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锁定步骤
eSi Growth
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锁定步骤
流程概述
晶圆准备
1
浅槽隔离 (STI)
93
栅极
24
源漏极
36
136
eSi Growth
+35 步骤
多晶硅开口抛光
27
替代金属栅 (RMG)
41
接触层
112
通孔接触 (V0)
47
金属 0 层
67
金属 1 层
90
金属 2 层
51
金属 3 层
39
中间金属层 (M4-M8)
23
金属 9 层
19
金属 10 层
14
金属 11 层
14
金属 12 层
16
选择解锁方案
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